Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями

В роботі виміряне зміщення між максимумами спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN при прямій і зворотній напрузі в залежності від вмісту індію Х в квантовій ямі і від матеріалу підк...