Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями

Item ID: 2159
1 Media file
2022/02/09
Набір елементів
Навчально-науковий інститут інформаційних технологій та робототехніки » Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій
ФТП Борщ_copy
Властивості
Тип
Українська
Наукові статті
Назва
Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями
Українська
Зсув спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN з різним вмістом індію і різним матеріалом підкладки, обумовлене ефектом Штарка і механічною напругою
Автор
Українська
Власенко, О.І.
Українська
Борщ, В.В.
Українська
Велещук, В.П.
Українська
Киселюк, М.П.
Українська
Власенко, З.К.
Українська
Хмиль, Д.Н.
Опис
Українська
В роботі виміряне зміщення між максимумами спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN при прямій і зворотній напрузі в залежності від вмісту індію Х в квантовій ямі і від матеріалу підкладки - SiC, AuSn / Si, Al2O3. Встановлено, що дане зміщення збільшується зі зростанням концентрації індію в шарі InxGa1-xN і механічної напруги від підкладки.
В работе измерено смещение между максимумами спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN при прямом и обратном напряжении в зависимости от содержания индия Х в квантовой яме и от материала подложки — SiC, AuSn/Si, Al2O3. Установлено, что данное смещение увеличивается с ростом концентрации индия в слое InxGa1−xN и механических напряжений от подложки.
Мова
Російська
Дата випуску
2015
Тематика
Українська
спектри электролюминесценции
Українська
спектри електролюмінесценції
Видавництво
Українська
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Бібліографічний опис
Українська
Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями / В.П. Велещук, А.И. Власенко, М.П. Киселюк, З.К. Власенко, Д.Н. Хмиль, В.В. Борщ // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49, вып. 8. - С. 1031-1035.
УДК
535.37
Набори елементів 1
Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій
15 639 items
Медіа
ФТП Борщ_copy
ФТП Борщ_copy
Metadata Information
Створено
2022-2-9 18:52
Last Modified
2022-2-9 18:52
Date Issued (DC)
2015
Item ID
#2159
Resource Template
Наукова стаття