Особливості виникнення та поширення ударної хвилі в напівпровідниках при наносекундному лазерному опроміненні

Item ID: 19529
1 Media file
2024/12/20
Набір елементів
Навчально-науковий інститут інформаційних технологій та робототехніки » Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій
Левицький Шефер
Властивості
Тип
Українська
Наукові статті
Назва
Українська
Особливості виникнення та поширення ударної хвилі в напівпровідниках при наносекундному лазерному опроміненні
Автор
Українська
Шефер, О.В.
Українська
Левицький, С.М.
Опис
Українська
При потужному наносекундному лазерному опроміненні структур метал(In)/р-CdTe (CdMeTe) в напівпровіднику відбувається утворення інверсійного приповерхневого шару, тобто шару n- типу провідності (відносно р- типу провідності) за рахунок процесів дифузії (масопереносу) атомів індію (In), які виступають в ролі донорів. При наносекундному опроміненні масоперенос – за означенням це швидка дифузія, оскільки цей процес триває десятки-сотні наносекунд – відбувається за рахунок механізмів різної фізичної природи.
Мова
Українська
Дата випуску
2024-12-12
Тематика
Українська
напівпровідники
Українська
наносекундне лазерне опромінення
Українська
ударна хвиля
Українська
процес дифузії
Англійська
CdMeTe
Видавництво
Українська
Національний університет "Полтавська політехніка імені Юрія Кондратюка"
Бібліографічний опис
Українська
Левицький С.М. Особливості виникнення та поширення ударної хвилі в напівпровідниках при наносекундному лазерному опроміненні / С.М. Левицький, О.В. Шефер // Академічна й університетська наука: результати та перспективи : зб. наук. пр. XVІІ Міжнар. наук.–практ. конф., 12 – 13 груд. 2024 р. – Полтава: Нац. ун–т ім. Ю. Кондратюка, 2024. – С. 368–373.
Набори елементів 1
Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій
15 639 items
Медіа
Левицький Шефер
Левицький Шефер
Metadata Information
Створено
2024-12-20 15:16
Last Modified
2024-12-20 15:16
Date Issued (DC)
2024-12-12
Item ID
#19529
Resource Template
Наукова стаття